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Descripción: 

El IRF820 es un transistor MOSFET de potencia de canal N diseñado para manejar altos voltajes y corrientes moderadas. Se utiliza comúnmente en aplicaciones de conmutación y amplificación de potencia, como fuentes de alimentación, controladores de motores y circuitos de conversión de energía. Su encapsulado TO-220 facilita el montaje en disipadores de calor, mejorando la gestión térmica.

Características: 

Voltaje de drenaje-fuente (Vds): 500 V

Corriente de drenaje (Id): 2.5 A

Encapsulado: TO-220

Resistencia de encendido (Rds(on)): 3 Ω (típico)

Voltaje de compuerta-umbral (Vgs(th)): 2-4 V

Frecuencia de operación: Hasta varios cientos de kHz

Disipación de potencia (Pd): 30 W

Temperatura de operación: -55 °C a 150 °C 

C15E1 - SPSC7A5
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IRF820

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