Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)

Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)

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Descripción:

Estos MOSFET de potencia de canal N utilizan Tecnología STripFET F7 con una mejora estructura de la compuerta de trinchera que da como resultado una resistencia en el estado muy baja, al tiempo que reduce capacitancia y carga de compuerta para más rápido y más conmutación eficiente.

Caracteristicas:

Categoría de producto: MOSFET

Tecnología: Si

Estilo de montaje: Through Hole

Paquete / Cubierta: TO-220-3

Polaridad del transistor: canal N

Número de canales: 1 canal

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 100 V

Id - Corriente de drenaje continua: 110 A

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 4.2 mOhms

Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V

Qg - Carga de puerta: 117 nC

Temperatura de trabajo mínima: - 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 175 C

Dp - Disipación de potencia: 250 W

Modo canal: Mejora

Nombre comercial: STripFET

Empaquetado: Tube

Marca: STMicroelectronics

Configuración: Single

Tiempo de caída: 33 ns

Tipo de producto: MOSFET

Tiempo de subida: 57 ns

Serie: STP150N10F7

Subcategoría: MOSFETs

Tipo de transistor: 1 canal N

Tiempo de retardo de apagado típico: 72 ns

Tiempo típico de demora de encendido: 33 ns

Peso de la unidad: 2 g

Incluye:

1 x Transistor Canal N MOSFFET STP150N10F7 100V 110A (TO-220)

C7G1 SPSC5A2
2 Artículos

Referencias específicas

isbn
0002953
upc
0002953
ean13
0002953
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