Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A
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Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A

L140,00
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Descripción

El transistor M50D060S  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Transistor M50D060S potencia.  transistor El transistor M50D060S IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un componente utilizado cada vez mas en aplicaciones automotrices en el cual la conmutación de altas corrientes es un requisito importante, este tipo de transistores aprovechan la ventaja de un transistor MOSFET y un transistor BJT (Bipolar).

Características:

Baja perdida de potencia

Conmutación suave con baja sobrecarga de conmutación y ruido

Alta fiabilidad

Alta robustez (RBSOA, SCSOA etc.)

Alineación integral

Aplicaciones:· Inversor para accionamiento motorizado, amplificador servo AC y DC, fuente de poder ininterrumpida

Información Básica

Polaridad de transistor: Canal N

Voltaje de colector a emisor VCES: 600 V

Voltaje de puerta a emisor VGE: ±20 V

Corriente continua de colector IC: 75 A

Corriente de colector pulsada ICM: 150 A

Disipación de potencia máxima PD (Tc=25°C): 150 W

Temperatura de operación mínima: -40 °C

Temperatura de operación máxima: 150 °C

Encapsulado: TO-3PF

Número de pines: 3

Incluye:

1 x Transistor de Potencia MOSFET M50D060S IGBT CH-N 600 V 50A

C6F1 SPSC4D6
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