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Circuitos y Desarrollo en Tecnología - C&D Technologia
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Descripción: 

El IRF530 es un transistor MOSFET de potencia por sus siglas en inglés “Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”, tiene un canal tipo N, 3 pines y un encapsulado TO-220, con capacidad de manejar energía de 100V y 14A.

El IRF530 es ampliamente utilizado para el control o amplificación de potencia, como interruptor electrónico en circuitos de conmutación de potencia, como controlador de velocidad de motores DC y motores a pasos, como regulador de tensión y más. Puedes

Características: 

Tipo: MOSFET de canal N.

Tensión máxima de drenaje-fuente (Vds): 100V.

Corriente máxima de drenaje (Id): 14A (a 25 °C).

Potencia máxima disipada (Pd): 88W.

Voltaje de compuerta (Vgs): Hasta ±20V.

Resistencia en estado de encendido (Rds(on)): 0.16 Ω (máximo, típico a Vgs = 10V).

Encapsulado: TO-220, compatible con disipadores de calor. 

C15D5 / BE4L4C6 / SPSC7A2
320 Artículos

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IRF530

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