Transistor Mosfet IRF640 Canal N 200V 18A 150W TO-220

Descripción: 

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRF640 es un mosfet de potencia que ofrece al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo robusto y de baja resistencia.

Aplicaciones: Control de Potencia, Industrial, Dispositivos Portátiles, Electrónica de Consumo.

Características: 

Polaridad del transistor: Canal N

Intensidad drenador continua Id: 18 A

Tensión drenaje-fuente Vds: 200 V

Resistencia de activación Rds(on): 0.15 ohm

Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V

Tensión umbral Vgs: 4 V

Disipación de potencia Pd: 150 W

Temperatura de operación máxima: 175°C

Encapsulado: TO-220, 3 pines