Transistor MOSFET STP55NF06 (TO)

Descripción:

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

Caracteristicas:

100%  avalancha probado

Alta capacidad de corriente

Alta capacidad dv/dt

Datos avalancha repetitivos a 100°C

Bajas capacidades intrínsecas

Carga compuerta minimizado

Tensión de umbral reducida

Alta velocidad de conmutación

Aplicaciones: Administración de potencia, entorno automotriz (inyección, ABS, airbag, controladores de lámparas, etc.), control de motores, amplificadores de audio, convertidores DC-DC y DC-DA, controladores de regulador, solenoide y relé

Especificaciones:

Fabricante: STMicroelectronics

Categoría de producto: MOSFET

RoHS: Detalles

Tecnología: Si

Estilo de montaje: Through Hole

Paquete / Cubierta: TO-220-3

Polaridad del transistor: canal N

Número de canales: 1 canal

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 60 V

Id - Corriente de drenaje continua: 50 A

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 18 mOhms

Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V

Qg - Carga de puerta: 44,5 nC

Temperatura de trabajo mínima: - 55 C

Temperatura de trabajo máxima: + 175 C

Dp - Disipación de potencia: 110 W

Modo canal: mejora

Nombre comercial: STripFET

Empaquetado: Tube

Configuración: Single

Altura: 9.15 mm

Longitud: 10,4 mm

Serie: STP55NF06

Tipo de transistor: 1 canal N

Tipo: MOSFET

Ancho: 4,6 mm

Marca: STMicroelectronics

Transconductancia hacia delante - Mín .: 18 S

Tiempo de caída: 15 ns

Tipo de producto: MOSFET

Tiempo de subida: 50 ns

Cantidad de empaque de fábrica: 1000

Subcategoría: MOSFETs

Tiempo de retardo de apagado típico: 36 ns

Tiempo típico de demora de encendido: 20 ns

Peso de la unidad: 2.240 g

Contenido:

1 x Transistor MOSFET STP55NF06 (TO)